「実現には多くの高い壁がある」2031年までに1.4ナノメートル相当の最先端半導体を設計・国内製造する計画

ファーウェイ1.4ナノ水準計画　31年までに半導体の設計

ファーウェイは米国の禁輸措置によって最先端の半導体や製造装置を調達できない状況が続いています。

この苦境を打開するため、同社は独自の技術開発を進め、2031年までに1.4ナノメートル相当の最先端半導体を設計・国内製造する計画を発表しました。

ファーウェイは2019年に米政府の禁輸リストに指定されて以降、5GスマホやAIに必要な先端半導体の調達が厳しく制限されています。

さらに、中国全体としてもオランダ製の極端紫外線（EUV）露光装置などの最先端製造装置を購入できないため、半導体の微細化にブレーキがかかっていました。

2023年には独自に開発した国産半導体を搭載した5Gスマホを発表しましたが、製造コストが高く、世界の最先端品と比べると性能面で劣るという課題を抱えています。

半導体は回路の線幅を細くする「微細化」によって、性能向上と省電力を実現してきました。

ファーウェイが掲げる2031年までの「1.4ナノメートル相当」という目標は、現在世界をリードする台湾のTSMCなどが量産を目指している最先端の世代に匹敵します。

最先端の製造装置を使えないハンデを抱えながらも、独自の設計技術や別の製造アプローチを組み合わせることで、禁輸措置を乗り越えて自国での完全な調達網を確立させたいという強い狙いがあります。

今回のファーウェイの発表に対して、専門家の間でも「実現には多くの高い壁がある」という慎重な見方が根強く存在します。

過去の発表事例や技術的な制約を背景に、この計画がどれほど現実的なのかを分析します。

最先端の半導体製造には、オランダのASML社が独占している極端紫外線（EUV）露光装置が不可欠とされています。

中国は現在、この装置の輸出規制を受けているため、旧世代の深紫外線（DUV）露光装置を何度も重ねて露光する技術（マルチパターニング）で代用しています。

しかし、この方法で1.4ナノメートル相当を目指すには、製造工程が極めて複雑になり、良品が取れる割合（歩留まり）が大幅に低下します。結果として、莫大な製造コストがかかり、商業的な量産は極めて困難になると指摘されています。

2023年にファーウェイが発売したスマートフォンに搭載された7ナノメートル半導体は、中国の技術的な進歩として大きな話題になりました。

しかし、その後の詳細な分析により、世界の最先端技術とは数年の遅れがあることや、製造コストが非常に高く、大量生産には適していない実態が明らかになっています。

今回の「2031年までに1.4ナノメートル相当」という目標も、技術的な可能性を示すアドバルーン（観測気球）としての側面が強く、実際に市場で通用する製品を安定して製造できるかについては、多くの専門家が疑問視しています。

一方で、中国政府やファーウェイが、巨額の国家資金を投じて半導体の完全国産化を進めていることは事実です。

効率やコストを度外視し、安全保障上の理由から「採算が合わなくても作り続ける」というアプローチを取る可能性はあります。

そのため、企業の発表をそのまま鵜呑みにすることはできませんが、規制を回避するためにどのような独自の代替技術を開発してくるかについては、今後も注視していく必要があります。